深圳市珀光达智能科技有限公司高端薄膜制造核心装备 / PEROVSKITE & SEMICONDUCTOR

VACUUM DRYING

VCD 真空干燥设备

将溶剂去除过程变成可定义、可记录的真空工艺。

PODAR / PROCESS TO PRODUCTION工艺 × 装备 × 数据
VCD 真空干燥设备
公司资料展示设备

EQUIPMENT OVERVIEW

设备定位与应用

通过腔体流场、真空过程与工艺节拍协同,控制湿膜中的溶剂去除过程,为后续晶粒生长和结晶提供工艺条件。

钙钛矿半导体平板显示

需要解决的工艺问题

湿膜进入真空环境后,压力变化路径、腔体流场与溶剂负载需要协同。过快或不均匀的去除过程可能使后续结晶条件不一致,因此选型不能只看一个极限真空指标。

讨论设备选型 ↗

PROCESS ROUTE

把设备放回工艺链路。

以下为方案讨论流程,实际工序、模块与顺序以材料工艺和项目方案为准。

  1. 01

    接收湿膜样品

  2. 02

    装载与密封确认

  3. 03

    压力曲线执行

  4. 04

    溶剂去除与过程记录

  5. 05

    回压出料并衔接退火

MODULES & FUNCTIONS

组成模块与功能方向

依据公司资料整理,并补充工程选型需要确认的内容;不代表所有模块为标准配置。

MODULE / 01

真空与腔体

公司资料提出定制腔体、均匀流场与减少局部残留的设计方向;腔体容积和装载方式按基底确定。

MODULE / 02

压力闭环

蝶阀与 MFC 模块参与压力控制;量程、压力路径、传感器及控制策略在方案阶段共同定义。

MODULE / 03

真空系统配置

资料提出双层结构共用一套泵的方向,是否采用需结合并行节拍、干扰与维护需求评估。

MODULE / 04

工艺与排气

讨论抽气、光热及工艺节拍的联动,明确溶剂兼容性、冷凝/收集和现场排气责任边界。

TECHNICAL INFORMATION

技术信息,连同条件一起说明。

资料中的数值必须与机型、样品、区域、方法及运行条件对应。下表不代替产品规格书或项目技术协议。

资料信息与项目确认条件
项目资料信息 / 设计方向项目确认条件
抽真空过程资料示例:5 s / 10 Pa缺少腔体容积、负载与起始条件,不作为统一保证值。
溶剂去除效率资料列示 >99%溶剂体系、计量方法及残留标准须单独约定。
压力控制蝶阀 + MFC 模块控制量程、曲线精度和响应要求按项目定义。
结构配置定制腔体 / 双层结构可讨论以装载方式、节拍和维护评估结果为准。

INTEGRATION & ACCEPTANCE

从输入条件,走向可执行的验收。

PROJECT INPUT

选型前建议准备

  • 基底尺寸、湿膜材料、溶剂种类与单次负载
  • 目标压力曲线、处理时间及残留评价方法
  • 前后工段节拍、传送姿态与环境要求
  • 排气、冷凝回收及现场公用工程条件

VERIFICATION PLAN

验收与验证讨论

  • 约定空载与带样品的压力曲线、计时起点和终点。
  • 对溶剂残留或膜层状态设置可执行的评价方法。
  • 检查抽气、回压、出料和异常处理的衔接,记录工艺曲线。

LET’S BUILD YOUR NEXT PROCESS

把材料、样品与工艺目标带入选型。

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